最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 4.4 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | TO-220 |
包装高度 | 9.25 |
安装 | Through Hole |
最大功率耗散 | 208000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 290@10V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 800 |
每个芯片的元件数 | 1 |
标签 | Tab |
供应商封装形式 | TO-220AB |
包装长度 | 10 |
PCB | 3 |
最大连续漏极电流 | 17 |
引脚数 | 3 |
连续漏极电流 | 17 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 208 W |
漏源导通电阻 | 0.29 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
封装 | Tube |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 800 V |
弧度硬化 | No |
工厂包装数量 | 500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
宽度 | 4.4 mm |
Qg - Gate Charge | 117 nC |
封装/外壳 | TO-220-3 |
下降时间 | 12 ns |
安装风格 | Through Hole |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | CoolMOS |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 17 A |
长度 | 10 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 72 ns |
系列 | CoolMOS C3 |
身高 | 15.65 mm |
典型导通延迟时间 | 25 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 227 W |
上升时间 | 15 ns |
技术 | Si |
SPP17N80C3XKSA1也可以通过以下分类找到
SPP17N80C3XKSA1相关搜索